AGSe (AgGaSe2) ସ୍ଫଟିକ୍ |
DIEN TECH AgGaSe2 (AGSe) ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର 0.73 ଏବଂ 18 µm ରେ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଧାର ଧାରଣ କରିଥାଏ |ଏହାର ଉପଯୋଗୀ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ପରିସର (0.9–16 µm) ଏବଂ ଚଉଡା ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମେଳଣ କ୍ଷମତା ବିଭିନ୍ନ ଲେଜର ଦ୍ୱାରା ପମ୍ପ ହେବାବେଳେ OPO ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସମ୍ଭାବନା ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |
Ho: YLF ଲେଜର 2.05 µm ରେ ପମ୍ପ କରିବା ସମୟରେ AgGaSe2 (AGSe) ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ 2.5–12 µm ମଧ୍ୟରେ ଟ୍ୟୁନିଂ କରାଯାଇଛି |1.4–1.55 µm ରେ ପମ୍ପ କରିବା ସମୟରେ 1.9-5.5 µm ମଧ୍ୟରେ ଅଣ-ଜଟିଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମେଳଣ (NCPM) କାର୍ଯ୍ୟ |
AgGaSe2 (AGSe) ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ଇନଫ୍ରାଡ୍ CO2 ଲେଜର ବିକିରଣ ପାଇଁ ଏକ ଦକ୍ଷ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଦ୍ୱିଗୁଣିତ ସ୍ଫଟିକ୍ ଭାବରେ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରାଯାଇଛି |
AGSe ର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ:
CO ଏବଂ CO2 - ଲେଜର ଉପରେ ଜେନେରେସନ୍ ଦ୍ୱିତୀୟ ହାରମୋନିକ୍ସ |
ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପାରାମେଟ୍ରିକ୍ ଓସିଲେଟର |
18 ଓମ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ମଧ୍ୟମ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଅଞ୍ଚଳଗୁଡିକ ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଜେନେରେଟର |
ମଧ୍ୟମ ଆଇଆର ଅଞ୍ଚଳରେ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ମିଶ୍ରଣ |
ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ କ୍ରସ୍ ବିଭାଗଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି 8x 8mm, 5 x 5mm, କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଲମ୍ବ 1 ରୁ 30 mm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ |ଅନୁରୋଧ ଅନୁଯାୟୀ କଷ୍ଟମ୍ ସାଇଜ୍ ମଧ୍ୟ ଉପଲବ୍ଧ |
| ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ | | |
| କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ | ଟେଟ୍ରାଗୋନାଲ | |
| କକ୍ଷ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | a = 5.992 Å, c = 10.886 Å | |
| ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ | | 851 ° C |
| ଘନତା | 5.700 g / cm3 |
| ମୋହ କଠିନତା | | 3-3.5 |
| ଅବଶୋଷଣ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | <0.05 cm-1 @ 1.064 µm <0.02 cm-1 @ 10.6 µm |
| ଆପେକ୍ଷିକ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କନଷ୍ଟାଣ୍ଟ @ 25 MHz | | ε11s = 10.5 ε11t = 12.0 | |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | || C: -8.1 x 10-6 / ° C ⊥C: +19.8 x 10-6 / ° C |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | 1.0 W / M / ° C |
| ରେଖା ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ | | ||
| ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର | 0.73-18.0 um | |
| ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ @ 1.064 um @ 5.300 um @ 10.60 um | ନା 2.7010 2.6134 2.5912 | ne 2.6792 2.5808 2.5579 |
| ଥର୍ମୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | dno / dt = 15.0 x 10-5 / ° C dne / dt = 15.0 x 10-5 / ° C | | |
| ସେଲମିୟର୍ ସମୀକରଣ (um in um) | no2 = 4.6453 + 2.2057 / (1-0.1879 / ʎ2) + 1.8577 / (1-1600 / ʎ2) ne2 = 5.2912 + 1.3970 / (1-0.2845 / ʎ2) + 1.9282 / (1-16007 / ʎ2) | |
| ଅଣନ ar ତିକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ | | |
| NLO କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ @ 10.6 ଓମ୍ | | d36 = d24 = d15 = 39.5 pm / V | |
| ରେଖା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ | | Y41T = 4.5 pm / V Y63T = 3.9 pm / V |
| କ୍ଷତି ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ @ ~ 10 ns, 1.064 um | 20-30 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2 (ଭୂପୃଷ୍ଠ) |
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ | | |
| ପରିମାପ ସହନଶୀଳତା | | (W +/- 0.1 mm) x (H +/- 0.1 mm) x (L + 1 mm / -0.5 mm) |
| ଆପେଚର ସଫା କରନ୍ତୁ | | > 90% କେନ୍ଦ୍ରୀୟ କ୍ଷେତ୍ର | |
| ସମତଳତା | | T> = 1 mm ପାଇଁ λ / 8 @ 633 nm | |
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଗୁଣ | | ଆବରଣ ପରେ 60-40 ସ୍କ୍ରାଚ୍ / ଖୋଳ | |
| ସମାନ୍ତରାଳତା | | 30 ଆର୍କ ସେକେଣ୍ଡରୁ ଭଲ | |
| ପର୍ପେଣ୍ଡିକୁଲାରାଇଟି | | 10 ଆର୍କ ମିନିଟ୍ | |
| ଓରେଣ୍ଟେସନ୍ ସଠିକତା | | <30 '' |
| ମଡେଲ୍ | | ଉତ୍ପାଦ | ଆକାର | ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ପୃଷ୍ଠ | ପର୍ବତ | ପରିମାଣ |
| DE0688 | AGSe | 5 * 5 * 0.5 ମିମି | θ = 45 ° φ = 45 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 1 |
| DE0160 | AGSe | 5 * 5 * 1.5 ମିମି | θ = 58.8 ° φ = 0 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 2 |
| DE0161 | AGSe | 5 * 5 * 1.5 ମିମି | θ = 52 ° φ = 45 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 1 |
| DE0324-2 | AGSe | 5 * 5 * 1 ମିମି | θ = 53.3 ° φ = 0 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 2 |
| DE0324-3 | AGSe | 5 * 5 * 1 ମିମି | θ = 65 ° φ = 0 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 2 |
| DE0687 | AGSe | 5 * 5 * 1 ମିମି | θ = 45 ° φ = 45 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 1 |
| DE0324 | AGSe | 5 * 5 * 2 ମିମି | θ = 53.1 ° φ = 45 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 1 |
| DE0464 | AGSe | 5 * 6 * 0.5 ମିମି | θ = 45 ° φ = 45 ° | | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | ଅସଂଖ୍ୟ | | 3 |
| DE0464-1 | AGSe | 5 * 6 * 1 ମିମି | θ = 45 ° φ = 45 ° | | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | ଅସଂଖ୍ୟ | | 2 |
| DE0442 | AGSe | 6 * 6 * 1.6 ମିମି | θ = 41.9 ° φ = 45 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 2 |
| DE0139 | AGSe | 8 * 8 * 1.5 ମିମି | θ = 53.1 ° φ = 45 ° | | ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | | ଅସଂଖ୍ୟ | | 1 |
| DE0214 | AGSe | 8 * 8 * 12 ମିମି | | θ = 52 ° φ = 45 ° | | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | ଅସଂଖ୍ୟ | | 1 |
| DE0372 | AGSe | 9.5 * 8 * 12 ମିମି | | θ = 49 ° φ = 45 ° | | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | ଅସଂଖ୍ୟ | | 1 |
-
ଫୋନ୍ |
ଫୋନ୍ |
-
ଇମେଲ୍ କରନ୍ତୁ |
ଇମେଲ୍ କରନ୍ତୁ |
-
whatsapp
whatsapp
-
ୱେଚାଟ |
ୱେଚାଟ |
-
ଶୀର୍ଷ
