LGS କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

ରାସାୟନିକ ସୂତ୍ର:La3Ga5SiQ14 |

ଘନତା:5.75g / cm3

ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ:1470 ℃

ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର:242-3200nm

ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ:1.89

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ ଗୁଣବତ୍ତା:γ41 = 1.8pm / V ， γ11 = 2.3pm / V |

ପ୍ରତିରୋଧ:1.7x1010Ω.cm

ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍:α11 = 5.15x10-6 / K (⊥Z-axis);α33 = 3.65x10-6 / K (∥Z-axis)

ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍ ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ |

La3Ga5SiO14 ସ୍ଫଟିକ୍ (LGS ସ୍ଫଟିକ୍) ହେଉଛି ଏକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ନନ୍-ଲାଇନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହାକି ଉଚ୍ଚ କ୍ଷତି ସୀମା, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା |LGS ସ୍ଫଟିକ୍ ଟ୍ରାଇଗୋନାଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଗଠନ ସହିତ ଜଡିତ, ଛୋଟ ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍, ସ୍ଫଟିକର ତାପଜ ବିସ୍ତାର ଆନିସୋଟ୍ରପି ଦୁର୍ବଳ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତାର ତାପମାତ୍ରା ଭଲ (SiO2 ଅପେକ୍ଷା ଭଲ), ଦୁଇଟି ସ୍ independent ାଧୀନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ - ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ BBO ପରି ଭଲ | ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ ବିଭିନ୍ନ ତାପମାତ୍ରାରେ ସ୍ଥିର ଅଟେ |ସ୍ଫଟିକର ଭଲ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଅଛି, କ cle ଣସି ଖଣ୍ଡ ବିଖଣ୍ଡିତ ନାହିଁ, କ del ଣସି ବିତରଣ ନାହିଁ, ଫିଜିକୋକେମିକାଲ୍ ସ୍ଥିରତା ଅଛି ଏବଂ ଏହାର ବହୁତ ଭଲ ବିସ୍ତୃତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଅଛି |LGS ସ୍ଫଟିକର ଏକ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରସାରଣ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଅଛି, 242nm-3550nm ରୁ ଉଚ୍ଚ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ହାର ଅଛି |ଏହା EO ମୋଡ୍ୟୁଲେସନ୍ ଏବଂ EO Q- ସୁଇଚ୍ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |

LGS ସ୍ଫଟିକରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ଅଛି: ପାଇଜୋଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଇଫେକ୍ଟ, ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ରୋଟେସନ୍ ଇଫେକ୍ଟ ବ୍ୟତୀତ ଏହାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଇଫେକ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ମଧ୍ୟ ବହୁତ ଉନ୍ନତ ଅଟେ, LGS ପକେଲ୍ ସେଲରେ ଉଚ୍ଚ ପୁନରାବୃତ୍ତି ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ବଡ଼ ବିଭାଗ ଆପେଚର, ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ନାଡ ପ୍ରସ୍ଥ, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଅଲଟ୍ରା | -ଲୋ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଅବସ୍ଥା LGS ସ୍ଫଟିକ୍ EO Q- ସ୍ୱିଚ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |LGS ପକେଲ୍ସ କୋଷ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ଆମେ γ 11 ର EO କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ପ୍ରୟୋଗ କଲୁ ଏବଂ LGS ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କୋଷଗୁଡ଼ିକର ଅଧା ତରଙ୍ଗ ଭୋଲଟେଜ୍ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଏହାର ବୃହତ ଦିଗ ଅନୁପାତକୁ ବାଛିଲୁ, ଯାହା ସମସ୍ତ-ସଲିଡ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଟ୍ୟୁନିଂ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ହୋଇପାରେ | ଅଧିକ ଶକ୍ତି ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାର ସହିତ ଲେଜର |ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଏହା LD Nd ରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇପାରିବ: YVO4 କଠିନ-ସ୍ଥିତ ଲେଜର 100W ରୁ ଅଧିକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଶକ୍ତି ସହିତ ପମ୍ପ ହୋଇଛି, ସର୍ବାଧିକ ହାର 200KHZ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ସର୍ବାଧିକ ଉତ୍ପାଦନ 715w ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ନାଡିର ମୋଟେଇ 46ns ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, କ୍ରମାଗତ | ପ୍ରାୟ 10w ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଆଉଟପୁଟ୍, ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ଷତି ସୀମା LiNbO3 ସ୍ଫଟିକ୍ ତୁଳନାରେ 9-10 ଗୁଣ ଅଧିକ |1/2 / wave ତରଙ୍ଗ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ 4 / wave ତରଙ୍ଗ ଭୋଲଟେଜ୍ ସମାନ ବ୍ୟାସ BBO ପକେଲ୍ ସେଲ୍ ତୁଳନାରେ କମ୍, ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଆସେମ୍ବଲି ମୂଲ୍ୟ ସମାନ ବ୍ୟାସ ଆରଟିପି ପକେଲ୍ ସେଲ୍ ତୁଳନାରେ କମ୍ ଅଟେ |DKDP ପକେଲ୍ କକ୍ଷଗୁଡ଼ିକ ତୁଳନାରେ, ସେଗୁଡ଼ିକ ଅଣ-ସମାଧାନ ଏବଂ ଭଲ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା |LGS ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କକ୍ଷଗୁଡିକ କଠିନ ପରିବେଶରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରିବ ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗରେ ଭଲ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରିପାରିବ |

ରାସାୟନିକ ସୂତ୍ର \|	La3Ga5SiQ14 \|
ଘନତା	5.75g / cm3
ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ \|	1470 ℃
ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର	242-3200nm
ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ \|	1.89
ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ \|	γ41 = 1.8pm / V，γ11 = 2.3pm / V
ପ୍ରତିରୋଧକତା \|	1.7 × 1010Ω.cm
ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ \|	α11 = 5.15 × 10-6 / K (⊥Z-axis);α33 = 3.65 × 10-6 / K (∥Z-axis)