BGGSe (BaGa2GeSe6) ସ୍ଫଟିକ୍ |

ରାସାୟନିକ ସୂତ୍ର:BaGa2GeSe6 |

ଅଣନ ar ତିକ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍:d11 = 66

କ୍ଷତି ସୀମା:110 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2 |

ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର:0.5 ରୁ 18 μm

ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍ ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ |

ଷ୍ଟକ୍ ତାଲିକା |

BaGa2GeSe6 ସ୍ଫଟିକର ଏକ ଉଚ୍ଚ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ଷତି ସୀମା (110 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2), ଏକ ବ୍ୟାପକ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ସୀମା (0.5 ରୁ 18 μ ମିଟର) ଏବଂ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଅଣନ ar ତିକତା (d11 = 66 ± 15 pm / V) ଅଛି, ଯାହା ଏହି ସ୍ଫଟିକ୍ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଆକର୍ଷଣୀୟ କରିଥାଏ | ଲେଜର ବିକିରଣର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତର ମଧ୍ୟଭାଗରେ (କିମ୍ବା ଭିତରେ) |ଦ୍ୱିତୀୟ ହାରମୋନିକ୍ ପି generation ଼ିର CO- ଏବଂ CO2- ଲେଜର ବିକିରଣ ପାଇଁ ଏହା ବୋଧହୁଏ ସବୁଠାରୁ ଦକ୍ଷ ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରମାଣିତ ହୋଇଥିଲା |ଏହା ଦେଖାଗଲା ଯେ ଏହି ସ୍ଫଟିକରେ ମଲ୍ଟି-ଲାଇନ୍କୋ-ଲେଜର ବିକିରଣର ଏକ ବ୍ରଡବ୍ୟାଣ୍ଡ ଦୁଇ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତର ZnGeP2 ଏବଂ AgGaSe2 ସ୍ଫଟିକ ଅପେକ୍ଷା ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ସହିତ 2.5-9.0 μ ମିଟର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ଭବ |
BaGa2GeSe6 ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ସେମାନଙ୍କର ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସରରେ ଅଣ-ଲାଇନ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତର ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ଯେଉଁଥିରେ ସର୍ବାଧିକ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ପାର୍ଥକ୍ୟ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଟ୍ୟୁନିଂ ପରିସର ମିଳିବ |ଏହା ଦର୍ଶାଯାଇଛି ଯେ ସେଠାରେ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟର ମିଶ୍ରଣ ଅଛି ଯେଉଁଥିରେ ଏକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ୍ୟାଣ୍ଡରେ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଅଣନ ar ତିକତା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ସାମାନ୍ୟ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ |

BaGa2GeSe6 ସ୍ଫଟିକର ବିକ୍ରୟ ସମୀକରଣ:

ZnGeP2, GaSe, ଏବଂ AgGaSe2 ସ୍ଫଟିକ ସହିତ ତୁଳନା କରନ୍ତୁ, ଗୁଣଗୁଡିକର ତଥ୍ୟ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଭାବରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି:

ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ \|
କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍	d, pm / V	ମୁଁ, MW / cm2
AgGaSe2 \|	d36 = 33	20
GaSe	d22 = 54	30
BaGa2GeSе6 \|	d11 = 66	110
ZnGeP2	d36 = 75	78

ମଡେଲ୍ \|	ଉତ୍ପାଦ	ଆକାର	ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍	ପୃଷ୍ଠ	ପର୍ବତ	ପରିମାଣ
DE1028-2	BGGSe	5 * 5 * 2.5 ମିମି	θ = 27 ° φ = 0 ° ପ୍ରକାର II \|	ଉଭୟ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି \|	ଅସଂଖ୍ୟ \|	1