GaSe କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

ଗାଲିୟମ୍ ସେଲେନାଇଡ୍ (GaSe) ଅଣ-ର ar ଖ୍ୟ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍, ଏକ ବୃହତ ଅଣ-ର ar ଖ୍ୟ କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ, ଏକ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷତି ସୀମା ଏବଂ ଏକ ବ୍ୟାପକ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ସୀମାକୁ ମିଶ୍ରଣ କରେ |ଆଇଆର ମଧ୍ୟଭାଗରେ SHG ପାଇଁ GaSe ଏକ ଉପଯୁକ୍ତ ସାମଗ୍ରୀ |DIEN TECH |ଅନନ୍ୟ ବଡ଼ ଆକାର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଗୁଣ ସହିତ GaSe ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତୁ |

GaSe ର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି-ଦ୍ୱିଗୁଣ ଗୁଣ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ 6.0 µm ରୁ 12.0 µm ମଧ୍ୟରେ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯାଇଥିଲା |CO2 ଲେଜରର ଦକ୍ଷ SHG (9% ରୂପାନ୍ତର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ) ପାଇଁ GaSe ସଫଳତାର ସହିତ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି |ପଲ୍ସଡ୍ CO, CO2 ଏବଂ ରାସାୟନିକ DF- ଲେଜର (l = 2.36 µm) ବିକିରଣର SHG ପାଇଁ;ଦୃଶ୍ୟମାନ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ CO ଏବଂ CO2 ଲେଜର ବିକିରଣର ଅପକନଭର୍ସନ;ନିଓଡିୟମ ଏବଂ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ରଙ୍ଗ ଲେଜର କିମ୍ବା (F -) - ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ମିଶ୍ରଣ ମାଧ୍ୟମରେ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଡାଲି ଉତ୍ପାଦନ - ସେଣ୍ଟର୍ ଲେଜର ଡାଲି;3.5-18 µm ମଧ୍ୟରେ OPG ଆଲୋକ ଉତ୍ପାଦନ;ଟେରାହର୍ଟଜ୍ (ଟି-ରେ) ବିକିରଣ ଉତ୍ପାଦନ |ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମେଳ କୋଣ ପାଇଁ ସ୍ଫଟିକ କାଟିବା ଅସମ୍ଭବ କାରଣ ସାମଗ୍ରୀର ଗଠନ (001) ପ୍ଲେନ୍ ସହିତ ପ୍ରୟୋଗର କ୍ଷେତ୍ର ସୀମିତ ଅଟେ |
GaSe ବହୁତ ନରମ ଏବଂ ସ୍ତରୀୟ ସ୍ଫଟିକ୍ |ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଘନତା ସହିତ ସ୍ଫଟିକ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆମେ ଖାଲି ଆରମ୍ଭରୁ ମୋଟା ନେଇଥାଉ, ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, 1-2 ମିମି ମୋଟା ଏବଂ ତା’ପରେ ଭଲ ପୃଷ୍ଠର ଚିକ୍କଣତା ଏବଂ ସମତଳତା ବଜାୟ ରଖିବା ସହିତ ଅର୍ଡର ହୋଇଥିବା ଘନତା ନିକଟକୁ ଯିବାକୁ ଚେଷ୍ଟା କରି ସ୍ତର ଅପସାରଣ କରିବାକୁ ଆରମ୍ଭ କରେ |ଯଦିଓ, ମୋଟା ପାଇଁ ପ୍ରାୟ 0.2-0.3 ମିଲିମିଟର କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ କମ୍ GaSe ପ୍ଲେଟ୍ ସହଜରେ ବଙ୍କା ହୁଏ ଏବଂ ଆମେ ଫ୍ଲାଟ ବଦଳରେ ବକ୍ର ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରାପ୍ତ କରୁ |
ତେଣୁ ଆମେ ସାଧାରଣତ CA CA ଖୋଲିବା ଡିଆ ସହିତ dia.1 'ଧାରକରେ ସ୍ଥାପିତ 10x10 mm ସ୍ଫଟିକ୍ ପାଇଁ 0.2 ମିଲିମିଟର ମୋଟା ହୋଇ ରହିଥାଉ |9-9.5 ମି.ମି.
ବେଳେବେଳେ ଆମେ 0.1 ମିଲିମିଟର ସ୍ଫଟିକ୍ ପାଇଁ ଅର୍ଡର ଗ୍ରହଣ କରୁ, ତଥାପି, ଆମେ ଏତେ ପତଳା ସ୍ଫଟିକ୍ ପାଇଁ ଭଲ ସମତଳତାର ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦେଇନାହୁଁ |
GaSe ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ପ୍ରୟୋଗ:
THz (ଟି-ରେ) ବିକିରଣ ଉତ୍ପାଦନ ；
• THz ରେଞ୍ଜ ： 0.1-4 THz ；
CO 2 ଲେଜରର ଦକ୍ଷ SHG (9% ରୂପାନ୍ତର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ);
ପଲ୍ସଡ୍ CO, CO2 ଏବଂ ରାସାୟନିକ DF- ଲେଜର (l = 2.36 mkm) ବିକିରଣର SHG ପାଇଁ;
ଦୃଶ୍ୟମାନ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ CO ଏବଂ CO2 ଲେଜର ବିକିରଣର ଅପକନଭର୍ସନ;ନିଓଡିୟମ ଏବଂ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ରଙ୍ଗ ଲେଜର କିମ୍ବା (F -) - ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ମିଶ୍ରଣ ମାଧ୍ୟମରେ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଡାଲି ଉତ୍ପାଦନ - ସେଣ୍ଟର୍ ଲେଜର ଡାଲି;
3.5 - 18 କିଲୋମିଟର ମଧ୍ୟରେ OPG ହାଲୁକା ଉତ୍ପାଦନ |
ଆଇଆର ମଧ୍ୟଭାଗରେ SHG (CO2, CO, ରାସାୟନିକ DF- ଲେଜର ଇତ୍ୟାଦି) |
ଦୃଶ୍ୟମାନ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ଆଇଆର ଲେଜର ବିକିରଣର ଅପକନଭର୍ସନ |
3 - 20 µm ମଧ୍ୟରେ ପାରାମିଟ୍ରିକ୍ ଉତ୍ପାଦନ |
GaSe ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ମୁଖ୍ୟ ଗୁଣ:
ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର, µm 0.62 - 20 |
ପଏଣ୍ଟ ଗ୍ରୁପ୍ 6m2 |
ଲାଟାଇସ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ a = 3.74, c = 15.89 Å |
ଘନତା, g / cm3 5.03
ମୋହ କଠିନତା 2
ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ:
5.3 µm no = 2.7233, ne = 2.3966 ରେ |
10.6 µm no = 2.6975, ne = 2.3745 ରେ |
ଅଣ-ରେଖା କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ, pm / V d22 = 54 |
5.3 µm ରେ 4.1 ° ରୁ ଚାଲିଯାଅ |
ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ଷତି ସୀମା, MW / cm2 28 (9.3 µm, 150 ns);0.5 (10.6 µm, CW ମୋଡ୍ ରେ);30 (1.064 µm, 10 ns)