ନୂତନ BGGSe ସ୍ଫଟିକ୍ |

ଉଚ୍ଚ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ଷତି ସୀମା (110 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2)
ବ୍ୟାପକ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର (0.5 ରୁ 18 μm)
ଉଚ୍ଚ ଅଣନ ar ତିକତା (d11 = 66 ± 15 pm / V)
ସାଧାରଣତ la ଲେଜର ବିକିରଣର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତରଣରେ (କିମ୍ବା ଭିତରେ) ମଧ୍ୟ-ଆଇଆର ପରିସରରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ |
ଦ୍ୱିତୀୟ ହାରମୋନିକ୍ ପି generation ିର CO- ଏବଂ CO2- ଲେଜର ବିକିରଣ ପାଇଁ ସର୍ବାଧିକ ଦକ୍ଷ ସ୍ଫଟିକ୍ |
ଏହି ସ୍ଫଟିକରେ ମଲ୍ଟି ଲାଇନ୍ CO- ଲେଜର ବିକିରଣର ବ୍ରଡବ୍ୟାଣ୍ଡ ଦୁଇ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତର ZnGeP2 ଏବଂ AgGaSe2 ସ୍ଫଟିକ ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ ଦକ୍ଷତା ସହିତ 2.5-9.0 μ ମିଟର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ଭବ |