ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ

GaSe କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

ଗାଲିୟମ୍ ସେଲେନାଇଡ୍ (GaSe) ଅଣ-ର ar ଖ୍ୟ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍, ଏକ ବୃହତ ଅଣ-ର ar ଖ୍ୟ କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ, ଏକ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷତି ସୀମା ଏବଂ ଏକ ବ୍ୟାପକ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ସୀମାକୁ ମିଶ୍ରଣ କରେ |ଆଇଆର ମଧ୍ୟଭାଗରେ SHG ପାଇଁ ଏହା ଏକ ଉପଯୁକ୍ତ ସାମଗ୍ରୀ |
ZGP (ZnGeP2) କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

ବୃହତ ଅଣ-ଲାଇନ୍ କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ (d36 = 75pm / V), ପ୍ରଶସ୍ତ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର (0.75-12μm), ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା (0.35W / (cm · K)), ଉଚ୍ଚ ଲେଜର କ୍ଷତି ସୀମା (2-5J / cm2) ଏବଂ ZGP ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ | ଭଲ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ସମ୍ପତ୍ତି, ZnGeP2 ସ୍ଫଟିକକୁ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ନନ୍-ଲାଇନ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସ୍ଫଟିକର ରାଜା କୁହାଯାଉଥିଲା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଟ୍ୟୁନେବଲ୍ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଲେଜର ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସର୍ବୋତ୍ତମ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତର ସାମଗ୍ରୀ ଅଟେ |ଆମେ ଉଚ୍ଚ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ବୃହତ ବ୍ୟାସ ZGP ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ଅତ୍ୟଧିକ ନିମ୍ନ ଅବଶୋଷଣ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ α <0.05 ସେମି -1 (ପମ୍ପ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ 2.0-2.1 µ ମି) ରେ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବା, ଯାହା OPO କିମ୍ବା OPA ମାଧ୍ୟମରେ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ସହିତ ମଧ୍ୟମ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଟ୍ୟୁନେବଲ୍ ଲେଜର ସୃଷ୍ଟି କରିବାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରିବ | ପ୍ରକ୍ରିୟା
AGSe (AgGaSe2) ସ୍ଫଟିକ୍ |

AGSeAgGaSe2 ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକରେ 0.73 ଏବଂ 18 µm ରେ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଧାର ଅଛି |ଏହାର ଉପଯୋଗୀ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ପରିସର (0.9–16 µm) ଏବଂ ଚଉଡା ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମେଳଣ କ୍ଷମତା ବିଭିନ୍ନ ଲେଜର ଦ୍ୱାରା ପମ୍ପ ହେବାବେଳେ OPO ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସମ୍ଭାବନା ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |ହୋ: YLF ଲେଜର 2.05 µm ରେ ପମ୍ପ କରିବା ସମୟରେ 2.5–12 µm ମଧ୍ୟରେ ଟ୍ୟୁନିଂ ପ୍ରାପ୍ତ ହୋଇଛି |1.4–1.55 µm ରେ ପମ୍ପ କରିବା ସମୟରେ 1.9-5.5 µm ମଧ୍ୟରେ ଅଣ-ଜଟିଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମେଳଣ (NCPM) କାର୍ଯ୍ୟ |AgGaSe2 (AgGaSe2) ଇନଫ୍ରାଡ୍ CO2 ଲେଜର ବିକିରଣ ପାଇଁ ଏକ ଦକ୍ଷ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଦ୍ୱିଗୁଣିତ ସ୍ଫଟିକ୍ ଭାବରେ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରାଯାଇଛି |
AGS (AgGaS2) ସ୍ଫଟିକ୍ |

AGS 0.50 ରୁ 13.2 µm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସ୍ୱଚ୍ଛ ଅଟେ |ଯଦିଓ ଏହାର ଅଣ-ର ar ଖିକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଉଲ୍ଲେଖିତ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ମଧ୍ୟରେ ସର୍ବନିମ୍ନ ଅଟେ, 550 nm ରେ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷୁଦ୍ର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟର ସ୍ୱଚ୍ଛତା ଏଡି: YAG ଲେଜର ଦ୍ୱାରା ପମ୍ପ ହୋଇଥିବା OPO ରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଡାୟୋଡ୍ ସହିତ ଅନେକ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ମିଶ୍ରଣ ପରୀକ୍ଷଣରେ, ଟି: ନୀଳମଣି, Nd: YAG ଏବଂ IR ରଙ୍ଗ ଲେଜର 3–12 µm ପରିସରକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |ସିଧାସଳଖ ଇନଫ୍ରାଡ୍ କାଉଣ୍ଟର ମାପ ସିଷ୍ଟମରେ ଏବଂ CO2 ଲେଜରର SHG ପାଇଁ |ପତଳା AgGaS2 (AGS) ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ଲେଟ୍ ଗୁଡିକ NIR ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ଡାଲି ବ୍ୟବହାର କରୁଥିବା ପାର୍ଥକ୍ୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉତ୍ପାଦନ ଦ୍ IR ାରା ମଧ୍ୟମ IR ପରିସରରେ ଅଲଟ୍ରାଶର୍ଟ ପଲ୍ସ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଲୋକପ୍ରିୟ |
BGSe (BaGa4Se7) କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

BGSe (BaGa4Se7) ର ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସ୍ଫଟିକ୍ ହେଉଛି କଲକୋଜେନାଇଡ୍ ଯ ound ଗିକ BaGa4S7 ର ସେଲେନାଇଡ୍ ଆନାଗୁଲ୍, ଯାହାର ଆସେଣ୍ଟ୍ରିକ୍ ଅର୍ଥୋରୋମ୍ବିକ୍ ଗଠନ 1983 ରେ ଚିହ୍ନଟ ହୋଇଥିଲା ଏବଂ 2009 ରେ IR NLO ପ୍ରଭାବ ରିପୋର୍ଟ କରାଯାଇଥିଲା, ଏହା ଏକ ନୂତନ ବିକଶିତ IR NLO ସ୍ଫଟିକ୍ |ବ୍ରିଜମ୍ୟାନ୍ - ଷ୍ଟକ୍ବର୍ଗର୍ କ techni ଶଳ ମାଧ୍ୟମରେ ଏହା ପ୍ରାପ୍ତ ହେଲା |ଏହି ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରାୟ –.–- μ ମିଟରରେ ଏକ ଅବଶୋଷଣ ଶିଖିବା ବ୍ୟତୀତ 0.47–18 μm ର ବ୍ୟାପକ ସୀମା ଉପରେ ଉଚ୍ଚ ଟ୍ରାନ୍ସମିଟାନ୍ସ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |
BGGSe (BaGa2GeSe6) ସ୍ଫଟିକ୍ |

BaGa2GeSe6 ସ୍ଫଟିକର ଏକ ଉଚ୍ଚ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କ୍ଷତି ସୀମା (110 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2), ଏକ ବ୍ୟାପକ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ସୀମା (0.5 ରୁ 18 μ ମିଟର) ଏବଂ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଅଣନ ar ତିକତା (d11 = 66 ± 15 pm / V) ଅଛି, ଯାହା ଏହି ସ୍ଫଟିକ୍ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଆକର୍ଷଣୀୟ କରିଥାଏ | ଲେଜର ବିକିରଣର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତର ମଧ୍ୟଭାଗରେ (କିମ୍ବା ଭିତରେ) |