ଉତ୍ପାଦ - ଭାଗ 3

KTP କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

ପୋଟାସିୟମ୍ ଟାଇଟାନିଲ୍ ଆର୍ସେନେଟ୍ (KTiOAsO4), କିମ୍ବା KTA ସ୍ଫଟିକ୍, ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପାରାମେଟ୍ରିକ୍ ଓସିଲିଏସନ୍ (OPO) ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଅଣ-ଲାଇନ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ |ଏହାର ଉନ୍ନତ ଅଣ-ର ar ଖିକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ ଅଛି, 2.0-5.0 µ ମିଟର ଅଞ୍ଚଳରେ ଅବଶୋଷଣକୁ ହ୍ରାସ କରିଛି, ବ୍ରଡ କୋଣାର୍କ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍, ନିମ୍ନ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ଥିର |
Cr2 +: ZnSe |

Cr² +: ZnSe ସାଚୁରେବଲ୍ ଶୋଷକ (SA) ହେଉଛି ଆଖି-ସୁରକ୍ଷିତ ଫାଇବରର ପ୍ୟାସିଭ୍ Q- ସୁଇଚ୍ ଏବଂ 1.5-2.1 μm ର ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପରିସରରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା କଠିନ ସ୍ଥିତ ଲେଜର ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ ସାମଗ୍ରୀ |
ZnTe କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

ଜିଙ୍କ ଟେଲୁରିଡ୍ ହେଉଛି ZnTe ସୂତ୍ର ସହିତ ଏକ ବାଇନାରୀ ରାସାୟନିକ ଯ ound ଗିକ |DIEN TECH ସ୍ଫଟିକ୍ ଅକ୍ଷ <110> ସହିତ ZnTe ସ୍ଫଟିକ୍ ତିଆରି କରେ, ଯାହା ସବପିକୋସେକଣ୍ଡର ଉଚ୍ଚ-ତୀବ୍ର ଆଲୋକ ପଲ୍ସ ବ୍ୟବହାର କରି ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ରିକ୍ଟିଫିକେସନ୍ ନାମକ ଏକ ଅଣ-ଲାଇନ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଟେରାହର୍ଟଜ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିର ନାଡିର ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦେବା ପାଇଁ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ |ZnTe ଉପାଦାନଗୁଡିକ DIEN TECH ପ୍ରଦାନ କରୁଥିବା ଯାଆଁଳା ଦୋଷରୁ ମୁକ୍ତ |
Fe: ZnSe / Fe: ZnS

Fe +
PPKTP ସିଷ୍ଟଲ୍ |

ପର୍ଯ୍ୟାୟକ୍ରମେ ପୋଲଡ୍ ପୋଟାସିୟମ୍ ଟାଇଟାନିଲ୍ ଫସଫେଟ୍ (PPKTP) ହେଉଛି ଏକ ଫେରୋଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ନନ୍-ଲାଇନ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଯାହା କ୍ୱାସି-ଫେଜ୍-ମେଳକ (QPM) ମାଧ୍ୟମରେ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରୂପାନ୍ତରଣକୁ ସହଜ କରିଥାଏ |
HgGa2S4 ସ୍ଫଟିକ୍ |

ଲେଜର କ୍ଷୟକ୍ଷତିର ଉଚ୍ଚ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା ବୁଧ ଥିଓଗାଲେଟ୍ HgGa ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |₂S₄(HGS) ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଦ୍ୱିଗୁଣିତ ପାଇଁ ଅଣ-ର ar ଖ୍ୟ ସ୍ଫଟିକ ଏବଂ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟରେ OPO / OPA 1.0 ରୁ 10 µm ମଧ୍ୟରେ |ଏହା ସ୍ଥାପିତ ହେଲା ଯେ CO ର SHG ଦକ୍ଷତା |₂4 ମିମି ଲମ୍ବ HgGa ପାଇଁ ଲେଜର ବିକିରଣ |₂S₄ଉପାଦାନ ପ୍ରାୟ 10% (ନାଡିର ଅବଧି 30 ns, ବିକିରଣ ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା 60 ମେଗାୱାଟ / ସେମି |²)ଉଚ୍ଚ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ବିକିରଣର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟର ବ୍ୟାପକ ପରିସର ଆଶା କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ ଯେ ଏହି ପଦାର୍ଥ AgGaS ସହିତ ପ୍ରତିଦ୍ୱନ୍ଦ୍ୱିତା କରିପାରେ |₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂ବଡ ଆକାରର ସ୍ଫଟିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଯଥେଷ୍ଟ ଅସୁବିଧା ସତ୍ତ୍ Ga େ GaSe ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ |