ZnTe କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର THz ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ: ZnTe (ଜିଙ୍କ ଟେଲୁରିଡ୍) ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ <110> ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସଂଶୋଧନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା THz ପି generation ଼ି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ବୃହତ ଦ୍ୱିତୀୟ କ୍ରମାଙ୍କ ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ସହିତ ମିଡିଆରେ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସଂଶୋଧନ ହେଉଛି ଏକ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉତ୍ପାଦନ |ଫେମଟୋସେକେଣ୍ଡ ଲେଜର ଡାଲି ପାଇଁ ଯାହାର ବଡ଼ ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ପରସ୍ପର ସହିତ କଥାବାର୍ତ୍ତା କରନ୍ତି ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ପାର୍ଥକ୍ୟ 0 ରୁ ଅନେକ THz ମଧ୍ୟରେ ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରେ |THz ନାଡିର ଚିହ୍ନଟ ଅନ୍ୟ ଏକ <110> ଆଧାରିତ ZnTe ସ୍ଫଟିକରେ ଫ୍ରି-ସ୍ପେସ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ ଚିହ୍ନଟ ମାଧ୍ୟମରେ ଘଟିଥାଏ |THz ନାଡ ଏବଂ ଦୃଶ୍ୟମାନ ନାଡ ZnTe ସ୍ଫଟିକ ମାଧ୍ୟମରେ ଏକତ୍ରିତ ଭାବରେ ପ୍ରସାରିତ ହୁଏ |THz ନାଡ ZnTe ସ୍ଫଟିକରେ ଏକ ବ୍ରେଫ୍ରିଙ୍ଗେନ୍ସ ସୃଷ୍ଟି କରେ ଯାହା ଏକ ର ar ଖିକ ପୋଲାରାଇଜଡ୍ ଦୃଶ୍ୟମାନ ନାଡ ଦ୍ୱାରା ପ read ାଯାଏ |ଯେତେବେଳେ ଉଭୟ ଦୃଶ୍ୟମାନ ନାଡ ଏବଂ THz ନାଡ ଏକ ସମୟରେ ସ୍ଫଟିକରେ ଥାଏ, ଦୃଶ୍ୟମାନ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ THz ନାଡ ଦ୍ୱାରା ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ହେବ |ସନ୍ତୁଳିତ ଫୋଟୋଡିଓଡ୍ର ଏକ ସେଟ୍ ସହିତ ଏକ λ / wave ତରଙ୍ଗପ୍ଲେଟ୍ ଏବଂ ଏକ ବିମସ୍ଲିଟିଂ ପୋଲାରାଇଜର ବ୍ୟବହାର କରି, THz ନାଡ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ବିଳମ୍ବ ସମୟରେ ZnTe ସ୍ଫଟିକ ପରେ ଦୃଶ୍ୟମାନ ପଲ୍ସ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ଉପରେ ନଜର ରଖି THz ପଲ୍ସ ଏମ୍ପ୍ଲିଟ୍ୟୁଡ୍ ମାନଚିତ୍ର କରିବା ସମ୍ଭବ |ପୂର୍ଣ୍ଣ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର, ଉଭୟ ପ୍ରଶସ୍ତତା ଏବଂ ବିଳମ୍ବ ପ read ିବାର କ୍ଷମତା, ସମୟ-ଡୋମେନ୍ THz ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରସ୍କୋପିର ଏକ ଆକର୍ଷଣୀୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟ |IR ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଉପାଦାନ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ପାଇଁ ZnTe ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |